サムスン、年内に第4世代V-NANDの量産を開始

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「2017 Samsung SSD Forum Japan」レポート

2017年06月13日 17時30分更新

文● ドリル北村/ASCII編集部

 日本サムスンは、SSDの関連技術や導入事例を紹介する「2017 Samsung SSD Forum Japan」を、6月8日に都内のホテル開催した。

日本サムスンが「2017 Samsung SSD Forum Japan」を開催

 富士通やDMM.comラボ、アイ・オー・データ機器などの代表者が登壇し、SSD導入事例を解説。また、韓国サムスン電子が今後の製品ラインナップなどを紹介した。

 ここでは、そのフォーラムのなかでアスキーの読者が気になるであろう内容をピックアップしてお届けしよう。

サムスン電子

 サムスン電子は今後のSSD事業について説明。2017年中に第4世代V-NANDの量産を開始し、データセンター向けにM.3フォームファクターのSSDと低レイテンシーの「Z-SSD」を投入、コンシューマー向けにはBGAタイプのSSDを投入すると発表した。


韓国サムスン電子のメモリー事業部 商品企画チーム長 専務のJinman Han氏

2017年中に第4世代V-NANDの量産を開始する。これは、3次元セルを64層まで積み上げ、容量は512GB、転送速度は800Mbpsに達するという

M.2の基板を長くしてチップをより多く搭載できるようにした新フォームファクターのM.3をサーバー市場に投入。2.5インチからM.3に変えることで、これまで2Uだったラックを1Uにでき、1枚あたりの容量も4倍に増加する

Z-NANDで設計された「Z-SSD」を来年投入するという。低レイテンシーでスループットが高いため、サーバーキャッシュに最適な製品だ

BGAタイプのSSDを開発中。小型軽量なBGAの特性を活かし、モバイル端末への導入を推し進める

SSDラインナップ。すべてを第4世代V-NANDでカバーするという



ランダムアクセスが非常に高速な「Z-SSD」。新コントローラーを採用し、容量は1TB(実際に使えるのは800GB)

「Z-SSD」はNVMeと比べると約4倍もレイテンシーが低い

「Z-SSD」のシーケンシャルシードは1.6倍、同ライトは3倍になる

1セントコインとほぼ同じ大きさのBGA SSD。1TBの容量が1gに収まる

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